Comparativa de resistencia oscura vs factor de relleno con doble contacto para mejorar la eficiencia en celdas fotovoltaicas BC-BJ.
DOI:
https://doi.org/10.55204/trc.v3i1.e113Palabras clave:
FF (Factor de Relleno), BC-BJ (Contacto Bajo – Contacto Unión), Eficiencia (n), Resistencia Serie Oscura (Rs DARK)Resumen
El mejoramiento de la eficiencia en celdas fotovoltaicas en la actualidad ha ido incrementando en función de la construcción de nuevos elementos para optimizar el uso de la energía solar, sin embargo, nunca ha sido objeto de estudio los factores que contribuyen la disminución de la eficiencia, ni las medidas para contrarrestar las pérdidas ocasionadas por la resistencia oscura que se genera por un segundo contacto en. En el presente trabajo se usa el método experimental para la demostración del mejoramiento de la eficiencia con un segundo contacto móvil en el emisor y así se identifica el incremento del rendimiento en cada posición que se va moviendo en la parte inferior de la celda, encontramos que alcanza un mejoramiento de la eficiencia en una celda solar más alta de 22.109% (distancia 500 μm, Jsc = 40.25 mA / cm^2 , Voc = 673 mV, FF = 81,618%, Rs DARK = 0,13064) en el caso del contacto 100 μm, de la misma manera se grafica en un sistema de referencia en función de la resistencia oscura y el factor de relleno donde encontramos el problema que se generan al cambiar de posición el contacto lo cual ocasiona disminución en la eficiencia, por esta razón se concluye que al incrementar un segundo contacto en el emisor el cual se va moviendo en cada posición la resistencias parasitas tienden aumentar y genera una disminución en el factor de relleno, el presente trabajo plantea disminuir los problemas en las resistencias oscuras que se generan.
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Referencias
Alex Walker, J. F. (2010). Understanding Synopsys Sentaurus by Simulating a P-N Junction. Canada.
Altermatt P.P., Dreissigacker S., Yang Y., Sprodowski C., Dezhdar T., Koc S., Veith B., Herrman S., Bock R., Bothe K. Schmidt J., Brendel R. (2009). Highly predictive modelling of entire Si solar cells for industrial applications. Conference: European Photovoltaic Solar Energy Conference, At Hamburg, Germany, 24, 901-906.
Altermatt, P. P. (2011). Models for numerical device simulations of crystalline silicon solar cells—a review. Journal of Computational Electronics, 10(3), 314-330.
Bennett, H. B. (1983). Hole and Electron Mobilities in Heavily Doped Silicon: Comparison of Theory and Experiment. Solid-St. Electron, 26(12), 1157–1166.
Blatt, F. (1957). Scattering of carriers by ionized impurities in semiconductors. J. Phys. Chem. Solids, 1(4), 262–269.
Finder. (09 de 2011). El mundo sustentable de las energías renovables . Recuperado el 20 de 05 de 2014, de www.findernet.com
Häcker Rolf, Hangleiter Andreas. (1994). Intrinsic upper limits of the carrierlifetime in silicon. Journal of Applied Physics, 75(11), 7570-7572.
Haouari-Merbah M., Belhamel M., Tobias I. and Ruiz J. (2005). Method of extraction and analysis of solar cell parameters from the dark current-voltage curve. Proc. Spanish Conference on Electron Devices,Tarragona, Spain, 275-277.
Honsberg Christiana, B. S. (10 de 10 de 2013). PV CDROM (Christiana Honsberg and Stuart Bowden). Recuperado el 15 de 01 de 2014, de pveducation.org/
Jan Schmidt and Armin G Aberle. (1997). Accurate method for the determination of bulk minority-carrier lifetimes of mono-and multicrystalline silicon wafers. Journal of Applied Physics, 81(9), 6186-6199.
Klaassen, D. B. (1992). A Unified MobilityModel for Device Simulation—I. Model Equations and Concentration Dependence. Solid-State Electronics, 35(7), 953–959.
L. Huldt, N. G. Nilsson, and K. G. Svantesson. (1979). The temperature dependence of band-to-band Auger recombination in silicon. Applied Physics Letters, 35(10), 776-777.
M. Rüdiger, M. Rauer, C. Schmiga and M. Hermle. (2011). Effect of incomplete ionization for the description of highly aluminum-doped silicon. J. Appl. Phys., 110, 024508.
P.P. Altermatt, J.O. Schumacher, A. Cuevas, M.J. Kerr, S.W. Glunz, R.R. King, G. Heiser, A. Schenk. (2002). Numerical modeling of highly doped Si:P emitters based on Fermi–Dirac statistics and self-consistent material parameters. J. Appl. Phys., 92(6), 3187-3199.
R. Bock, P.P. Altermatt, J. Schmidt, R. Brendel. (2010). Formation of aluminum–oxygen complexes in highly aluminum-doped silicon. Semicond. Sci. Technol., 25, 105007.
Ridley, B. K. (1988). Quantum processes in semiconductors. Oxford, Clarendon Press.
Schmidt J., Thiemann N., Bock R. and Brendel R. (2009). Recombination lifetimes in highly aluminum-doped silicon. J. Appl. Phys., 106(9), 093707 - 093707-4.
Sentaurus Device User Guide, Version D-2010.03, March 2010. (2010). Synopsys Inc.
SYNOPSYS. (2011). Sentaurus Structure Editor User Guide. version F-2011.09.
W. Lochmann and A. Haug. (1980). Phonon-Assisted Auger Recombination in Si with Direct Calculation of the Overlap Integrals. Solid State Communications, 35(7), 535-556.
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